掩模版（mask）是光刻工藝中不可或缺的部件，其上承載有設計好的圖形，光線透過這些圖形將設計圖形透射到光刻膠上，從而實現對晶圓表面的精確複製。在投影式光刻機中，掩模作為一個光學元件位於會聚透鏡與投影透鏡之間，它並不與晶圓直接接觸。掩模上的圖形會縮小4到10倍（現代光刻機通常是4倍）後透射在晶圓表面。為了區別於接觸式曝光中使用的掩模，投影式曝光中使用的這種掩模又被稱為倍縮式掩模（reticle）。
掩模版的製作過程包括曝光、顯影、刻蝕等工藝，其中掩模的曝光通常使用掃描雷射束完成。經過曝光和顯影後，鍍鉻玻璃板會通過濕法酸腐蝕去除暴露的鉻層，形成掩膜圖形。為了保證在不同型號光刻機之間的互用，掩模的結構和幾何尺寸都非常相似。
此外，掩模版在半導體製造中扮演著至關重要的角色。它們不僅用於積體電路（IC）的製作，還廣泛套用於平板顯示器（FPD）、印刷電路板（PCB）、微機電系統（MEMS）等領域。掩模版的精度、缺陷密度和耐用性能等都對光刻工藝的質量有直接影響，進而影響半導體器件或積體電路的電學性能、可靠性和成品率。