根據提供的信息，每立方厘米矽中的矽原子數量可以總結如下：
晶體矽中的矽原子數量：
一般情況下，每立方厘米晶體矽中含有大約 10^22 個矽原子。
在特定條件下，如室溫下，本徵激發的電子和空穴濃度為 10^10 個/cm^3，這表明在大多數情況下，矽原子的數量遠超這個數值。
摻雜矽中的矽原子數量：
摻雜矽中，例如P型或N型摻雜，磷原子或硼原子的濃度可以達到 10^16 個/cm^3，這表明在摻雜情況下，矽原子的數量會有所不同。
半導體工業中的標準定義：
半導體工業里定義每立方厘米矽中有 5e22 個矽原子，這是一個行業標準，用於衡量矽材料的純度和雜質濃度。
綜上所述，每立方厘米矽中的矽原子數量取決於矽的純度、摻雜類型以及是否考慮本徵激發等因素。在大多數情況下，可以認為每立方厘米矽中有大約 10^22 個矽原子，但在特定條件下，這個數值可能會有所變化。半導體工業中通常採用 5e22 個矽原子/cm^3 作為標準定義。