氧化鎵(Ga2O3)，也被稱為三氧化二鎵，是一種無機化合物，化學式為Ga2O3，是寬禁帶半導體材料，禁頻寬度約為4.9eV。
氧化鎵是一種透明的氧化物半導體，具有高熔點、高硬度和高化學穩定性，因此在光電子器件方面有廣泛的套用前景，其被用作Ga基半導體材料的絕緣層、紫外線濾光片以及氧氣化學探測器。氧化鎵在高頻電路、太陽能電池、照明等領域也有套用。與碳化矽和氮化鎵相比，氧化鎵具有更大的禁頻寬度、更高的臨界擊穿場強和更好的導通特性，這些特性使氧化鎵成為高功率、大電壓套用領域的潛在主導者，特別是在需要高效率、高可靠性的套用中，如電動汽車充電站、軌道交通和可再生能源發電領域。