Cool MOS 是一種超結功率 MOSFET，具有多種特性，以下是詳細介紹：
低導通電阻（Rdson）和高開關速度。Cool MOS 的 Rdson（導通電阻）遠低於傳統 VDMOS，這使得它們在相同功率規格下具有更小的封裝尺寸，從而提高了功率密度。由於導通電阻的降低，Cool MOS 在大功率、大電流套用中尤其表現出色。
低柵電荷和驅動能力要求。Cool MOS 的柵電容相對較小，這降低了對驅動能力的總體要求，提高了系統的可靠性。
低輸出電容和開關損耗。Cool MOS 結構的改變減小了輸出電容，從而降低了導通和關斷過程中的損耗。較小的柵電容也縮短了電容充電時間，進一步提高了開關速度。
適用於高頻率電源。Cool MOS 的快速開關性能特別適用於頻率固定的電源套用，能有效降低開通和關斷損耗，提高整個電源系統的效率。
具有較寬的阻斷電壓範圍。Cool MOS 的阻斷電壓能力可覆蓋 500 至 800V 的範圍，適用於多種電壓等級的套用。
此外，Cool MOS 在反向阻斷狀態下具有一個橫向電場，促進重摻雜的 PN 漂移區耗盡，從而起到電壓支撐的作用。這種設計改善了導通電阻與耐壓之間的關係，進一步提高了性能。