Flash存儲器的工作原理主要基於浮柵技術，具體包括編程（寫入）、擦除和讀取三種模式。以下是Flash存儲器的工作原理介紹：
編程（寫入）模式。通過向浮柵層注入電荷來改變存儲單元的電荷狀態，從而寫入數據，這一過程通常通過在存儲單元上施加高電壓來實現。
擦除模式。通過從浮柵層移除電荷來改變存儲單元的電荷狀態，從而擦除數據，擦除通常也是通過在存儲單元上施加特定電壓來實現的。
讀取模式。通過在控制柵極上施加適當的電壓，將存儲單元的電荷狀態轉化為輸出數據信號，然後檢測電流或電壓的變化來讀取存儲單元的狀態，以確定存儲的數據。
Flash存儲器廣泛套用於各種設備中，如計算機、手機、數位相機和嵌入式系統等。