MOS（Metal Oxide Semiconductor）管，也稱為MOS FET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），是一種常用的半導體器件，其工作原理和作用可以概括如下：
工作原理：
結構組成： MOS管主要由源極、漏極和柵極組成。根據襯底的摻雜類型，可以分為N溝道和P溝道兩種類型。
工作狀態： 在沒有柵極電壓的情況下，源極和漏極之間相當於兩個背靠背的二極體，不會有電流流過，此時MOS管處於截止狀態。當柵極電壓超過閾值VGS(th)時，會在源極和漏極之間形成一個導電溝道，從而允許電流流過，MOS管進入導通狀態。
導電溝道的建立： 柵源電壓VGS用於控制漏極電流。當VGS達到開啟電壓VT時，會在氧化層下形成一個新的N型區域，即導電溝道。這個溝道連線了源極和漏極，使得電流可以流動。
作用：
開關功能： MOS管可以作為電子電路中的開關。通過控制柵極電壓，可以控制源極和漏極之間的電流流動。當柵極電壓大於源極電壓時，MOS管處於開啟狀態，允許電流流過；當柵極電壓低於源極電壓或為零時，MOS管處於關閉狀態，阻止電流流動。
低功耗： 由於MOS管的特性，它在維持導通狀態時不需要持續的柵極電壓，這有助於降低功耗。在積體電路中，由於可能有成千上萬個MOS管，這種低功耗的特性變得尤為重要。
高開關速度： MOS管能夠在極短的時間內完成開關操作，使其成為高速電子設備中的理想選擇。
綜上所述，MOS管通過其獨特的工作原理和作用，在電子電路中發揮著至關重要的開關和控制功能。