RCA清洗，全稱為RCA濕式化學清洗法，是一種在半導體、微電子和光電子等領域廣泛套用的清洗技術。這種清洗方法主要涉及四種標準的清洗液和相應的清洗步驟，以去除晶圓表面的污染物、有機物和金屬雜質。以下是RCA清洗的詳細步驟和所用材料：
SPM（SC-2）。主要成分是H2SO4和H2O2，用於去除矽片表面的有機物和部分金屬污染。在高溫下，SPM的強氧化能力可以將金屬氧化並溶解。
APM（SC-1）。由NH4OH、H2O2和H2O組成，用於去除顆粒、部分有機物和金屬。此清洗液在較低溫度下使用，通過化學反應去除表面污染物。
DHF（稀釋氫氟酸）。用於去除矽片表面的自然氧化膜，從而輕鬆去除膜上的金屬和其他污染物。DHF在較低溫度下使用，對矽片的腐蝕較小。
HPM。由HCl、H2O2和H2O組成，用於去除矽片表面的鈉、鐵、鎂等金屬沾污。HPM在較高溫度下使用，能有效溶解這些金屬。
RCA清洗的原理是利用這些化學液的特性，通過不同的化學反應去除晶圓表面的污染物。此方法能有效去除晶圓表面的污染物和有機物，同時不會對晶圓表面造成損傷，可以提高晶圓的可靠性和良品率。