SOI（Silicon-On-Insulator）材料是一種先進的半導體技術，其特點是在絕緣體上形成一層薄的單晶矽薄膜。這種結構使得SOI材料具有許多優越的性能，具體包括：
介質隔離。SOI材料的矽薄膜與絕緣層分離，消除了傳統體矽CMOS電路中的寄生閂鎖效應，減少了寄生電容，提高了集成密度和速度。
低功耗。SOI材料適用於低壓低功耗電路，特別適合於可攜式電子設備和高速微電子系統。
耐高溫。這種材料比傳統材料更能承受高溫環境，提高了器件的可靠性和穩定性。
抗輻照。SOI材料在輻射環境下表現出更好的性能，適用於航空航天等領域。
廣泛的套用領域。包括高速微電子器件、低壓低功耗器件、光通信器件、MEMS設備、抗輻照器件等。
此外，SOI材料的主要類型包括SIMOX、BESOI和Smart Cut等，不同類型的SOI材料適用於不同的套用場景。例如，SIMOX材料適合於製作薄膜全耗盡超大規模積體電路，而BESOI材料則適合於製作部分耗盡積體電路。隨著技術的進步，SOI材料在積體電路和微電子領域的地位和套用將進一步擴大。