熱激活延遲螢光（TADF）的原理涉及到電子在激發態之間的躍遷和能量轉換。具體來說，TADF材料在受到激發後，會產生一部分處於單重激發態（S1）的激子，這些激子會直接躍遷回基態（So）並發射螢光，這是瞬時發光過程。同時，由於TADF材料具有較小的單重態-三重態能隙（ΔEST），三重激發態（T1）的激子可以通過熱激活的反系間竄越（RISC）過程轉移到S1態，然後再從S1態躍遷回So態並發射延遲螢光。這個過程使得TADF材料能夠利用所有的激子，理論上內量子效率（IQE）可以達到100%。
為了實現高效的RISC過程，TADF材料通常具有給體-受體（D-A）或D-A-D的結構，這樣的結構有助於有效分離最高占據分子軌道（HOMO）和最低未占分子軌道（LUMO），從而減小ΔEST並增強振子強度。此外，取代基的調節也會影響材料的HOMO、LUMO分布和能級結構，進而影響其光物理性能和器件的光電性能。
總結來說，TADF原理涉及到的關鍵過程包括：
激子從單重激發態（S1）通過瞬時螢光（PF）躍遷回基態（So）產生瞬時發光。
三重激發態（T1）的激子通過熱激活的反系間竄越（RISC）過程轉移到S1態。
S1態的激子再次躍遷回基態（So）並發射延遲螢光。
這些過程使得TADF材料能夠高效利用激子，實現接近100%的內量子效率。