自對準工藝是一種在微電子製造中常用的技術，主要用於實現電晶體源/漏區域和柵極的高精度對準。
自對準工藝的基本原理是在半導體晶圓上先形成柵極（通常是多晶矽層），然後在柵極上定義源極和漏極的區域。這種技術通過使用柵極作為自對準掩膜，可以在沒有額外對準步驟的情況下精確地控制源極和漏極的位置，從而提高積體電路的性能和可靠性。自對準工藝的優點包括高精度、高可靠性和高效率，它通過減少源漏交疊等缺陷，提高了晶片的生產效率和性能。自對準工藝常用於製造矽柵場效應電晶體和互補金屬氧化物半導體（CMOS）等器件中。
自對準工藝是一種在微電子製造中常用的技術，主要用於實現電晶體源/漏區域和柵極的高精度對準。
自對準工藝的基本原理是在半導體晶圓上先形成柵極（通常是多晶矽層），然後在柵極上定義源極和漏極的區域。這種技術通過使用柵極作為自對準掩膜，可以在沒有額外對準步驟的情況下精確地控制源極和漏極的位置，從而提高積體電路的性能和可靠性。自對準工藝的優點包括高精度、高可靠性和高效率，它通過減少源漏交疊等缺陷，提高了晶片的生產效率和性能。自對準工藝常用於製造矽柵場效應電晶體和互補金屬氧化物半導體（CMOS）等器件中。