光刻的原理是 將掩膜版上的 圖案通 過光 線的曝光 印製到 塗有光刻 膠的基片上。
光刻 過程中，首先在基片表面覆 蓋一 層光刻 膠薄膜，然 後使用掩膜版，通 過掩膜版上的 圖案 將光 線（通常是紫外光）照射到基片上。 這一 過程 會使得曝光 區域的光刻 膠 發生化 學反 應，例如曝光 區域的光刻 膠 會 變硬或溶解，未曝光 區域 則保持原 狀。通 過 顯影技 術，可以溶解掉曝光 區域的光刻 膠， 從而在基片上留下掩膜版上的 圖案。最 後，通 過刻 蝕技 術，可以 將 圖案永久 轉移到 矽片上，完成 電路 圖的 製作。
光刻技 術是半 導 體 製造 過程中的 關 鍵步 驟， 對 晶片的性能和 製程有重要影 響。